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热红外显微镜 Thermal EMMI
Thermal EMMI 系列
实时瞬态锁相热分析系统RTTLIT，采用先进的锁相热成像技术（LIT, Lock-In Thermal analysis），通过调制电信号提升特征分辨率与灵敏度，结合软件算法优化信噪比，实现显微成像下的高灵敏度热信号测量。
RTTLIT S10
采用非制冷热红外探测器，搭配锁相热成像技术，具备微米级显微分辨率，可快速定位 PCB、PCBA 及分立元器件的漏电、短路、过热等异常热点。操作便捷、性价比突出，满足电子制造日常失效分析与品质管控需求。
0.001°C
5um
氧化钒
RTTLIT P20
RTTLIT P20 搭载 制冷中波红外探测器，测温灵敏度高达0.1mK、分辨率达 2μm，信号噪声更低、热捕捉更精准专为半导体晶圆、集成电路、功率器件与先进封装提供精细失效分析。
0.1mK
2um
InSb
核心技术特点
锁相热成像技术 LIT（Lock‑In Thermal analysis）
LIT（锁相热成像）是高精度红外热分析核心技术，致晟光电 RTTLIT 在此基础上自主优化升级，凭借更优的时序同步与瞬态信号处理能力，大幅提升检测信噪比与精度，为 S10、P20 系列热红外显微镜提供核心技术支撑，广泛应用于半导体、PCB/PCBA 等精密器件失效分析场景。
信号调制优化
采用多频率调制技术，通过精确控制电信号频率与幅
度，有效提升特征分辨率与灵敏度，实现更精准的热点
定位。
软件算法优化
独特的信号处理算法，有效滤除背景噪声，优化信噪比，提取微弱热信号，支持多种数据分析与可视化功能
显微成像系统
高精度光学系统，实现微米级空间分辨率，配合高灵敏
度热探测器，可对微小区域进行精确热分析与成像。
应用场景
晶圆级热点失效分析
高分辨率，适用于晶圆级的热点失效分析
Decap芯片的热点失效定位
芯片decap前和decap后均可进行热点失效定位
IGBT热点定位
全周期热管理，优化性能找故障
功率器件与三代半导体
监测散热保运行
PCB/PCBA检测
Thermal EMMI通过热成像技术快速定位PCB/PCBA上的短路、开路、虚焊等缺陷，提高检测效率和准确率。
IGBT模块
无论是晶体管的漏电、二极管的击穿，还是电阻的过热等问题，只要元器件存在异常功耗，产生额外热辐射，Thermal EMMI 设备就能快速定位。
大尺寸PCB
Thermal EMMI凭借其强大的热成像能力，对整个主板进行全面 “热扫描”，从众多电路线条和元器件中，清晰分辨出温度异常区域。
芯片
Thermal EMMI凭借红外热成像与光子发射双重检测技术，可实现对 芯片内部微短路、开路等故障的亚微米级精准定位，为高密度电路板上多层陶瓷电容器提供高效非破坏性维修解决方案。
产品性能对比
|
性能指标 |
RTTLIT S10 |
RTTLIT P20 |
|---|---|---|
|
探测器类型 |
非制冷型 |
制冷型锁相灵敏度 |
|
温度灵敏度 |
0.001°C |
0.1mK (0.0001°C) |
|
显微分辨率 |
5μm |
2um |
|
探测器分辨率 |
640x480 像素 |
640x512 像素 |
|
帧率 |
60 Hz |
100 Hz |
|
适用领域 |
PCB、PCBA、主板、分立元器件 |
半导体器件、晶圆、集成电路、功率模块 |
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